文档摘要

11.2 半导体制造中的等离子体工艺 本节摘要：摩尔定律的下半场是等离子体刻出来的。本节讲反应离子刻蚀（RIE）的物理——离子定向动量与自由基化学活性的乘积效应、各向异性与选择比这两个指标、电容耦合自偏压如何给离子定向充电、负载效应与微观装载效应等工艺病；再讲等离子体增强化学气相沉积（PECVD）为什么能在三百度以下沉积高质量薄膜；最后看高深宽比刻蚀（接触孔）与原子层刻蚀这两道先进制程的看家工序。 会员。《11.2 半导体制造中的等离子体工艺》收录于灏天文库文集《等离子体物理学》，原作者/来源：灏天文库，整理自「灏天文库」，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。本站整理收录，版权归原作者/开源协议所有。

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原作者： 灏天文库

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原文： https://aiknowledge.cn/collection/614-%E7%AD%89%E7%A6%BB%E5%AD%90%E4%BD%93%E7%89%A9%E7%90%86%E5%AD%A6

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