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9.1.1 宽禁带半导体（SiC/GaN）器件 9.1.1 宽禁带半导体（SiC/GaN）器件：从物理特性到工程实现的深度解析 在电力电子系统迈向高频、高效、高功率密度的新时代，硅基器件正逐渐逼近其理论极限。此时，宽禁带（Wide Bandgap, WBG）半导体材料——碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）——以其独特的物理优势，成为推动行业变革的核心驱动力。然而，技术红利的背后，是设计复杂度的陡增与工程实现门槛的显著提高。 会员。《9.1.1 宽禁带半导体（SiC/GaN）器件》收录于灏天文库文集《电子电工技术》，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。文档编号45284。

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