1.2.1.2 早期类比半导体电子能带

文档摘要

1.2.1.2 早期类比半导体电子能带 1.2.1.2 早期类比半导体电子能带：当布里渊区折叠遇上赝势失配——一个被忽略的k点采样陷阱与它的三行修复代码你有没有在调试一个看似“教科书级”的硅能带计算时，突然发现导带底（CBM）偏移了0.15 eV，价带顶（VBM）分裂出一对0.08 eV间距的简并态，而整个Γ点处的带隙比实验值窄了整整0.32 eV？更诡异的是，当你把超胞从2×2×2换成3×3×3，带隙又跳变0.11 eV——不是收敛问题，不是k点密度不足，也不是泛函选择偏差。它就安静地躺在那，像一道没缝合的伤口，在所有标准测试流程里都“通过”了，唯独在与角分辨光电子能谱（ARPES）数据对齐时，露出无法掩饰的错位。这不是玄学。