1.2.2.2 光波段微纳加工突破
文档摘要
1.2.2.2 光波段微纳加工突破 光刻胶边缘粗糙度（LWR）的“隐形杀手”：如何用电子束曝光参数的非线性补偿策略，在50 nm线宽下将LWR从4.2 nm压至1.8 nm——一位微纳工艺工程师的现场手记 凌晨两点十七分，洁净室B-7号曝光间。我摘下防静电手套，指尖还残留着SU-8 2005胶膜微凉的触感。显微镜载物台上那片刚完成EBL（电子束光刻）的SiO₂/Si衬底，在100×明场下泛着幽蓝冷光——但那几道50 nm宽的铬掩模线条边缘，正像被钝刀切开的冻豆腐，锯齿嶙峋，LWR（Line Width Roughness）测量值跳停在4.2 nm。而客户合同白纸黑字写着：“可见光波段（400–700 nm）谐振腔Q值＞1.2×10⁶，要求LWR ≤ 2.0 nm（3σ）”。这0.
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