3.1.1.2 砷化镓（GaAs）与磷化铟（InP）

文档摘要

3.1.1.2 砷化镓（GaAs）与磷化铟（InP） 3.1.1.2 砷化镓（GaAs）与磷化铟（InP）：晶格失配应力下外延层开裂的临界厚度判据——一个被反复踩坑、却鲜少被写进工艺手册的实战校准法你有没有在MOCVD腔体里等了八小时，看着那片4英寸GaAs衬底上生长出的In₀.₅₃Ga₀.₄₇As/InP异质结量子阱样品，在室温下冷却后——咔嚓一声，像一块薄脆饼干似的，从边缘开始蛛网状龟裂？显微镜下，裂纹沿着方向整齐排布，间距约12–15 μm；XRD ω-scan半高宽（FWHM）显示界面应变未释放，但AFM相位图却暴露出纳米级的周期性翘曲；更讽刺的是，PL光谱峰位蓝移了18 meV，强度却衰减到初始值的23%…… 这不是设备故障。不是气体纯度问题。甚至不是温度梯度失控。