4.4.2.2 弯曲损耗与模式转换

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4.4.2.2 弯曲损耗与模式转换 4.4.2.2 弯曲损耗与模式转换：一个被低估的“拐弯处陷阱”——基于硅基氮化硅异质波导的亚微米弯曲鲁棒性设计实战手记凌晨两点十七分，第三次烧录失败的光子芯片在探针台上静静发烫。显微镜下，那条标称半径为5 μm、设计长度仅180 μm的U形弯曲波导，在1550 nm波长下测得的插入损耗高达8.3 dB——比仿真预测值高出整整4.7 dB。更棘手的是，输出端的近场光斑不再是干净的TE₀模高斯轮廓，而是一团混沌的双瓣结构，光谱仪上赫然浮现两条间隔1.2 nm的干涉峰：这是典型的TE₀→TE₁模式转换信号。项目节点只剩72小时。没有时间重跑全参数扫描，没有预算追加掩模流片。