5.1.1.2 低损耗弯曲波导

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5.1.1.2 低损耗弯曲波导 5.1.1.2 低损耗弯曲波导：一个被低估的“拐弯哲学”——从硅基光子芯片中一段3.2 μm半径弯曲波导的散射损耗突变说起凌晨两点十七分，Fab洁净室B-12号光刻机旁，我盯着显微镜下那条刚完成刻蚀的SOI波导——它本该在R=3.2 μm处优雅地转过90°，却在近场扫描光学显微镜（NSOM）图像里，于弯曲外侧边缘亮起一道刺眼的、不规则的散射光晕。光谱仪同步测得：1550 nm波长下，单弯损耗从标称的0.08 dB/弯骤增至0.43 dB/弯；而同一版图中R=5.0 μm的同类弯曲，损耗稳定在0.06 dB/弯。没有工艺漂移报警，CD-SEM测量线宽偏差±8 nm，在容差内；刻蚀剖面TEM显示侧壁角为87.3°±0.5°，亦属合格。