7.3.1 技术瓶颈

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7.3.1 技术瓶颈 7.3.1 技术瓶颈：当工艺窗口收窄到亚微米级，当结温跃升至220℃——我们不是在调试器件，而是在与物理极限对弈你有没有试过，在洁净间里盯着一片刚完成金属化沉积的SiC MOSFET晶圆，用探针台施加1500 V漏源电压、同时维持$T{\text{case}} = 125^\circ\text{C}$持续老化1000小时后，突然发现其中第37号芯片的阈值电压$V{th}$漂移了+0.42 V，而相邻的第36号和第38号芯片却仅漂移+0.11 V和+0.13 V？那一刻，你手里的数据不是一组统计偏差，而是一封来自晶格缺陷世界的加密信函——它不告诉你“哪里错了”，只冷冷地问：“你真理解原子尺度下的应力传递路径吗？” 这就是7.3.