7.3.1.2 高温高功率耐受性

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7.3.1.2 高温高功率耐受性 7.3.1.2 高温高功率耐受性：一颗失效的SiC MOSFET背后，藏着三重热应力耦合陷阱凌晨两点十七分，某新能源重卡电控系统台架测试突然中断——IGBT模块未报过流、未触发短路保护，却在连续满载爬坡工况下第48分钟无声炸裂。示波器回放显示，最后一刻漏源电压 $V{DS}$ 并未突变，栅极驱动波形也规整如初；但红外热像仪帧序列里，芯片右上角0.8 mm²区域温度在3.2秒内从132℃飙升至217℃，超出了数据手册标称的$T{j,\max}=175^\circ\text{C}$极限值整整42℃。这不是偶然。这是高温高功率耐受性问题最典型、最沉默、也最致命的呈现方式：失效不发生在电气边界，而坍塌于热-电-机械三重应力的隐秘交界处。