1.2.2 结构化创新的本质：增强栅极受控力

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1.2.2 结构化创新的本质：增强栅极受控力 #### 1.2.2 结构化创新的本质：增强栅极受控力 ——一场在纳米尺度上重写“开关权”的静默革命你有没有试过，在凌晨三点盯着一块良率只有68%的FinFET晶圆测试图，放大到Gate-all-around（GAA）沟道截面，看着那几根微微扭曲的纳米片——不是工艺偏移，不是光刻套准误差，而是栅极电场在垂直方向上“松了手”？不是漏电，不是阈值漂移，更不是DIBL恶化。