2.1.3 有效沟道宽度 (Weff) 的计算公式及其离散化特性 当仿真结果在 $10\,\text{nm}$ 工艺节点上突然“跳变”:一个关于 $W{\text{eff}}$ 离散化陷阱的凌晨三点故障复盘 凌晨 3:17,FAB23 的 TCAD 仿真队列又卡住了。 不是收敛失败,不是内存溢出,也不是网格剖分报错——而是同一个器件结构,在 $W=40\,\text{nm}$ 和 $W=41\,\text{nm}$ 下,$I{\text{on}}$ 相差 $18.6\%$;而 $W=42\,\text{nm}$ 时,电流却回落到仅比 $40\,\text{nm}$ 高 $2.3\%$。三次连续扫描,曲线像心电图进了电焊机——锯齿状、非单调、不可导。