文档摘要

3.3 源漏工程与应变硅：提速的最后一块拼图 源漏工程要解决的问题是：静电控制解决之后，电流的进出口反而成了瓶颈。 鳍式结构把沟道做薄了，源漏的串联电阻与接触电阻在总电阻里的占比随之飙升；同时，平面时代靠盖层"贴"上去的应力，在三维鳍上完全失效——应力必须从鳍体内部"种"出来。本节讲三件事：嵌入式外延如何供应力、应变如何兑换成迁移率、自对准接触如何用刻蚀选择比替代套刻精度；最后看三者挤在同一根鳍上时的协同窗口。 会员。《3.3 源漏工程与应变硅：提速的最后一块拼图》收录于灏天文库文集《FinFET技术原理》，原作者/来源：灏天文库，整理自「灏天文库」，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。本站整理收录，版权归原作者/开源协议所有。

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作者与出处

原作者： 灏天文库

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原文： https://aiknowledge.cn/collection/810-finfet%E6%8A%80%E6%9C%AF%E5%8E%9F%E7%90%86

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