文档摘要

第 5 章 · 两条技术路线：Bulk 与 SOI 章节摘要：同样的鳍，可以长在体硅里，也可以长在绝缘衬底上——起点的不同，决定了一整本账的分法。体硅路线（Bulk）让鳍的根部与衬底原子级相连：晶圆便宜一个数量级、热量顺着硅体直泻而下，但源漏电场也获得了从衬底绕行的暗道，防穿通要额外补课。SOI 路线用一层埋氧把鳍托举起来：寄生结电容直接清零、隔离干净、浮体与背栅可玩出花样，代价是晶圆贵三到四倍、热阻高一个量级、制造良率对形貌更敏感。 会员。《第5章 两条技术路线：Bulk与SOI》收录于灏天文库文集《FinFET技术原理》，原作者/来源：灏天文库，整理自「灏天文库」，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。本站整理收录，版权归原作者/开源协议所有。

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作者与出处

原作者： 灏天文库

来源：灏天文库

原文： https://aiknowledge.cn/collection/810-finfet%E6%8A%80%E6%9C%AF%E5%8E%9F%E7%90%86

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