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5.1.1 结构特点：鳍片与基底相连 鳍底短路：当“相连”变成“短接”——体硅FinFET中鳍片-基底寄生通路的隐性杀手与实战拦截术 你有没有见过这样一张电镜图？ 在40 nm工艺节点的TEM横截面里，一条纤细、挺拔的硅鳍（Fin）矗立于体硅衬底之上，侧壁包裹着高k金属栅，顶部覆盖氮化硅硬掩模——结构完美得像教科书插图。可一上电，Id-Vg曲线却在Vg = 0.3 V处陡然塌陷；关态漏电Ioff飙至127 nA/μm，是设计规格的8. 会员。《5.1.1 结构特点：鳍片与基底相连》收录于灏天文库文集《FinFET技术原理》，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。文档编号57131。

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