文档摘要

5.2 SOI FinFET：绝缘衬底上的鳍 把沟道从大地里整体托举起来，会发生什么？ SOI FinFET 的回答是：寄生结电容直接清零、隔离干净得像无人区、浮体与背栅变成可玩的新旋钮——代价是晶圆贵三到四倍、鳍底多了一道热障、良率对形貌的容忍度骤降。本节按"埋氧层的双重身份、寄生的归零艺术、背栅的进化、制造的额外税"四步，把这本特色路线的账算清楚。 会员。《5.2 SOI FinFET：绝缘衬底上的鳍》收录于灏天文库文集《FinFET技术原理》，原作者/来源：灏天文库，整理自「灏天文库」，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。本站整理收录，版权归原作者/开源协议所有。

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作者与出处

原作者： 灏天文库

来源：灏天文库

原文： https://aiknowledge.cn/collection/810-finfet%E6%8A%80%E6%9C%AF%E5%8E%9F%E7%90%86

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