文档摘要

5.2.2 极低的寄生电容与无闩锁 (Latch-up) 效应 当衬底突然“失联”：SOI FinFET中寄生电容突变的根因定位与工艺协同修复实录 凌晨两点十七分，Fab 12B洁净室B区的OPC监控终端跳出一条红色告警： 这是某款7nm SOI FinFET AI加速器流片后首轮ATE测试中最顽固的时序违例。它不总出现，只在高温（105℃）+高电压（1.25V）组合应力下随机爆发；… 会员。《5.2.2 极低的寄生电容与无闩锁 (Latch-up) 效应》收录于灏天文库文集《FinFET技术原理》，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。文档编号57136。

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