7.2.2 叉型片 (Forksheet) 与互补型 FET (CFET)


文档摘要

7.2.2 叉型片 (Forksheet) 与互补型 FET (CFET) 在先进逻辑工艺的演进长河中,FinFET曾如一道分水岭,将半导体微缩带入三维晶体管时代;而今,当鳍宽逼近3 nm、栅高受限于静电控制裕度、短沟道效应与寄生电容双双亮起红灯——我们已站在一个物理极限与工程智慧激烈对撞的临界点。7.2.2节所聚焦的叉型片(Forksheet)与互补型场效应晶体管(CFET),不是锦上添花的改良,而是面向A14、A10乃至A7节点必须亲手锻造的“新模具”。它们不单是器件结构的翻新,更是从原子级掺杂分布、多层掩模套刻策略、应力工程路径,到EDA建模范式、SPICE参数提取流程、良率驱动的DRC/LVS规则重构——一整套制造-设计协同(DTCO)体系的系统性重写。


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