文档摘要

7.3 新材料与负电容：FinFET 框架的延展 纳米片把结构的牌打完了，沟道仍然是硅，栅仍然是"被动的静电栅"。 框架之外还剩两张牌：一张是换沟道——原子级薄的二维半导体让"沟道再薄下去"重新有意义，锗与三五族把迁移率的物理上限抬高一个量级；另一张更有想象力——换栅的物理本身，用铁电材料的负电容充当"静电变压器"，冲击六十毫伏每十倍这条由玻尔兹曼统计写死的亚阈值极限。两张牌都还没到量产，都卡在最要命的工程关口上。 会员。《7.3 新材料与负电容：FinFET框架的延展》收录于灏天文库文集《FinFET技术原理》，原作者/来源：灏天文库，整理自「灏天文库」，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。本站整理收录，版权归原作者/开源协议所有。

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作者与出处

原作者： 灏天文库

来源：灏天文库

原文： https://aiknowledge.cn/collection/810-finfet%E6%8A%80%E6%9C%AF%E5%8E%9F%E7%90%86

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