文档摘要

4.3 低电压低功耗：电压余量见底之后 本节摘要：电源电压随工艺缩到1伏上下，过驱动预算从五个缩到两个，堆叠路线崩塌，低功耗又把电流压到微安级。本节对照两条应对路线：亚阈值区工作（gm除以ID达到每毫安25毫西上限，省电两到三倍，代价是速度低、失配敏感）与轨到轨技术（输入级双差分对并联、输出级class AB，代价是跨导曲线在过渡区起伏、噪声与失调翻倍）。最后把gm除以ID光谱与电压预算表合成一张选型地图。 4.2节的架构在1. 会员。《4.3 低电压低功耗：强反型与亚阈值的对照》收录于灏天文库文集《CMOS模拟集成电路设计》，原作者/来源：灏天文库，整理自「灏天文库」，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。本站整理收录，版权归原作者/开源协议所有。

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作者与出处

原作者： 灏天文库

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原文： https://aiknowledge.cn/collection/846-cmos%E6%A8%A1%E6%8B%9F%E9%9B%86%E6%88%90%E7%94%B5%E8%B7%AF%E8%AE%BE%E8%AE%A1

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