6.1 MOS开关:理想元器件的三重阴影 本节摘要:理想开关导通电阻为零、关断电阻无穷大、切换不留痕迹;真实MOS开关有三重阴影——导通电阻随输入电压非线性(引起采样失真,对策是自举开关)、沟道电荷注入(关断瞬间沟道电荷倾泻到两侧,约Cox乘WL乘一半过驱动)、时钟馈通(栅压跳变经栅漏电容直接耦合)。本节给出三者的定量公式与对策矩阵,并算一遍kT除以C噪声的电容取值账。 前五章的电路都在连续时间里工作,从本节起时间被切成两相时钟。 会员。《6.1 MOS开关的非理想性:电荷注入与时钟馈通》收录于灏天文库文集《CMOS模拟集成电路设计》,原作者/来源:灏天文库,整理自「灏天文库」,提供技术教程、实践指南与问题解决方案,支持在线阅读、全文检索与知识沉淀,助力开发者系统化学习。本站整理收录,版权归原作者/开源协议所有。