3.3.1 第一代模型：Level 1/2/3 (物理模型)

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3.3.1 第一代模型：Level 1/2/3 (物理模型) 在SPICE仿真世界的黎明时分，当1970年代的伯克利实验室还在用穿孔卡片向CDC 6400大型机提交网表时，MOSFET尚未拥有“模型”——它只是一组实验数据、几条手绘曲线、一叠泛黄的转移特性图表。直到1973年，Meijer与Pederson在《IEEE Transactions on Electron Devices》上发表那篇题为“A Physical Model for the MOS Transistor”的论文，一个真正可嵌入电路方程、可被牛顿-拉夫逊迭代求解、能在纳秒级时间步长中稳定收敛的物理驱动型解析模型才第一次被系统性地编码进SPICE2的源代码里。