文档摘要

3.3 存储器宏与物理集成 本节摘要：片上存储不是“再声明一个数组”。SRAM 宏有固定外形、电源轨、端口时序和稳定性契约；DRAM 式结构靠刷新续命。逻辑门数量可以涨很快，访问延迟和容量涨得慢，这就是内存墙在芯片内部的样子。本节从 6T 单元的静噪容限讲到宏在 floorplan 上怎么放，才能让数据通路真的吃得饱。 会员。《3.3 存储器宏与物理集成》收录于灏天文库文集《VLSI超大规模集成电路设计》，原作者/来源：灏天文库，整理自「灏天文库」，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。本站整理收录，版权归原作者/开源协议所有。

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作者与出处

原作者： 灏天文库

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原文： https://aiknowledge.cn/collection/854-vlsi%E8%B6%85%E5%A4%A7%E8%A7%84%E6%A8%A1%E9%9B%86%E6%88%90%E7%94%B5%E8%B7%AF%E8%AE%BE%E8%AE%A1

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