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5.3 相移掩模（PSM） 第五章：分辨率增强技术（RET） 5.3 相移掩模（PSM）：光刻物理边界的主动重构者 当光刻工艺迈入130 nm节点，工程师们第一次在扫描电子显微镜下清晰地看见——一条本该笔直的线宽，在曝光后显影却呈现出“腰缩”与“桥连”并存的诡异形貌；当ArF浸没式光刻将数值孔径推至1.35，却仍无法稳定解析45 nm半节距的密集线条；… 会员。《5.3 相移掩模（PSM）》收录于灏天文库文集《光刻工艺学》，原作者/来源：灏天文库，整理自「灏天文库」，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。本站整理收录，版权归原作者/开源协议所有。

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作者与出处

原作者： 灏天文库

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原文： https://aiknowledge.cn/collection/857-%E5%85%89%E5%88%BB%E5%B7%A5%E8%89%BA%E5%AD%A6

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