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第七章：计算光刻与建模 第七章：计算光刻与建模 ——当物理极限叩响硅基文明的门环，我们以数学为刻刀，重写光的法则 在摩尔定律的黄昏时分，一场静默却磅礴的范式转移正悄然重塑半导体工业的地貌。晶体管栅长已逼近原子尺度，EUV光源的光子能量在掩模表面散射、在光刻胶中沉积、在硅基底上衍射——每一步都如履薄冰；而套刻误差容忍度压缩至亚纳米量级，相当于要求两架相距百公里的客机，在万米高空以0.1毫米精度完成翼尖对齐。 会员。《第七章：计算光刻与建模》收录于灏天文库文集《光刻工艺学》，原作者/来源：灏天文库，整理自「灏天文库」，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。本站整理收录，版权归原作者/开源协议所有。

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作者与出处

原作者： 灏天文库

来源：灏天文库

原文： https://aiknowledge.cn/collection/857-%E5%85%89%E5%88%BB%E5%B7%A5%E8%89%BA%E5%AD%A6

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