8.1 关键尺寸测量（CD-SEM）

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8.1 关键尺寸测量（CD-SEM）第八章：测量、检验与过程控制 8.1 关键尺寸测量（CD-SEM）：在亚纳米尺度上校准制造意志的精密标尺当一枚7纳米逻辑芯片的鳍式场效应晶体管（FinFET）在晶圆上完成刻蚀，其鳍宽实际值若偏离设计目标±0.8 nm，良率可能骤降12%；当3纳米节点GAA（Gate-All-Around）结构中纳米片厚度的统计变异系数（CV）超过3.5%，器件阈值电压分布将显著展宽，导致静态功耗失控——这不是理论推演，而是台积电2023年技术论坛披露的实测数据。