文档摘要

8.1 关键尺寸测量（CD-SEM） 第八章：测量、检验与过程控制 8.1 关键尺寸测量（CD-SEM）：在亚纳米尺度上校准制造意志的精密标尺 当一枚7纳米逻辑芯片的鳍式场效应晶体管（FinFET）在晶圆上完成刻蚀，其鳍宽实际值若偏离设计目标±0.8 nm，良率可能骤降12%；当3纳米节点GAA（Gate-All-Around）结构中纳米片厚度的统计变异系数（CV）超过3. 会员。《8.1 关键尺寸测量（CD-SEM）》收录于灏天文库文集《光刻工艺学》，原作者/来源：灏天文库，整理自「灏天文库」，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。本站整理收录，版权归原作者/开源协议所有。

该文档为会员专享，请先登录或注册后再查看

登录 注册

---

作者与出处

原作者： 灏天文库

来源：灏天文库

原文： https://aiknowledge.cn/collection/857-%E5%85%89%E5%88%BB%E5%B7%A5%E8%89%BA%E5%AD%A6

整理： 灏天文库整理

由灏天文库平台收录，内容或由平台用户上传，仅供学习交流