8.3.2 掩模保护膜（Pellicle）技术

文档摘要

8.3.2 掩模保护膜（Pellicle）技术掩模保护膜（Pellicle）技术，是光刻工艺中一道看似轻薄、实则重若千钧的“空气屏障”。它不过是一层厚度在$0.8\,\mu\text{m}$至$2.5\,\mu\text{m}$之间的聚合物或硅基薄膜，却要同时承担三项近乎矛盾的使命：对深紫外（DUV）甚至极紫外（EUV）光近乎全透——透射率需达$92\%$以上；对纳米级颗粒（≥$0.1\,\mu\text{m}$）实现物理拦截——捕获效率须>99.97%；并在整轮曝光过程中承受高达$10^4\,\text{J/m}^2$的辐照剂量、$ 30\,\text{nm}$的CD误差——足以导致逻辑单元翻转或存储单元漏电。