1.2.2.2 扩散运动：爱因斯坦关系式

文档摘要

1.2.2.2 扩散运动：爱因斯坦关系式 1.2.2.2 扩散运动：爱因斯坦关系式——当仿真结果突然“漂移”0.8 eV，我拆开了扩散系数D和迁移率μ之间的那层薄冰凌晨两点十七分，FAB-7洁净室B区的工艺监控终端弹出一条红色告警： “N型SiC外延层载流子浓度剖面在退火后出现非单调凹陷，峰值位置向界面偏移120 nm，扩散长度Lₙ计算值与TCAD拟合值偏差达37%。” 这不是第一次。过去三个月，我们团队在650 V SiC肖特基二极管的可靠性验证中反复撞上同一堵墙：器件高温反向漏电流随时间加速上升，但所有已知缺陷（位错密度、碳空位VC、氮替位杂质）的TEM/CL表征均未超标；SRIM模拟显示注入损伤可控；甚至俄歇电子能谱（AES）深度剖析也确认了掺杂剂分布符合设计靶值。