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2.2.1.1 势垒高度与热发射理论 2.2.1.1 势垒高度与热发射理论：当IV曲线在150℃突然“塌腰”，我如何用热发射拟合反推真实Φ B 并揪出界面氧化层的幽灵 凌晨两点十七分，洁净间空调低鸣，探针台微光映着我眼下的青影。第7片GaN-on-Si肖特基二极管晶圆刚完成高温老化（150℃/1000h），IV测试仪屏幕上那条本该饱满对称的正向曲线，却在V=0.45V处诡异地“塌陷”——电流比标称值低37%，且随温度升高恶化加剧。 会员。《2.2.1.1 势垒高度与热发射理论》收录于灏天文库文集《半导体器件物理》，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。文档编号62817。

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