1.2.3 现状：从实验室研究向工业化量产的跨越

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1.2.3 现状：从实验室研究向工业化量产的跨越 1.2.3 现状：从实验室研究向工业化量产的跨越凌晨三点十七分，我站在苏州工业园区某条晶圆产线的Fab 07号洁净室门口，面罩下呼吸略沉——不是因为疲惫，而是刚收到一条推送：今天第18片12英寸SiC MOSFET晶圆完成终测，良率92.7%，其中关键参数 $ V{th} $（阈值电压）标准差 $ \sigma{V{th}} = 0.13\,\text{V} $，$ R{on,sp} $（比导通电阻）批次极差 $ \Delta R{on,sp} = 1.8\,\text{m}\Omega\cdot\text{cm}^2 $。