2.1.2.1 肖特基势垒高度调制


文档摘要

2.1.2.1 肖特基势垒高度调制 肖特基势垒高度调制:不是“调”出来的,是“锁”出来的——一个被反复误读的界面工程真相 你有没有在凌晨三点盯着示波器上那条微微抖动的漏电流曲线,心里发问:为什么同样用TiN做电极、同样用AlGaN/GaN异质结、同样走标准PECVD钝化流程,隔壁组的SBD关断漏电比你低两个数量级?为什么你优化了十轮退火温度,势垒高度Φ Bn 却像被钉在1.12 eV不动?为什么XPS测出的界面态密度D it 明明压到了3×10 11 cm −2 eV −1 ,I-V测试里还是能清晰看到热电子发射与隧穿并存的双斜率特征? 这不是工艺漂移。 这不是材料批次问题。 这是你正在用“体相思维”操控一个本质上属于“原子界面”的物理量——肖特基势垒高度Φ Bn 。


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