4.1.4 无选通器（Selector-less）阵列设计
文档摘要
4.1.4 无选通器（Selector-less）阵列设计 在忆阻器交叉阵列（Crossbar Array）的物理实现中，无选通器（Selector-less）阵列设计从来不是一种“偷懒”的妥协方案，而是一场对材料物理、电路拓扑与算法协同边界发起的精密攻坚。它不依赖独立的非线性选通器件（如Ovonic Threshold Switch, OTS），却要求忆阻单元自身在低电压下呈现极高的关态电阻（$R{\text{off}} > 10^{9}\Omega$），在导通阈值附近实现陡峭的$I$–$V$负微分电阻（NDR）或超指数开启特性——这恰如在悬崖边缘走钢丝：稍有材料参数漂移、工艺离散或温度扰动，串扰（crosstalk）、漏电流（sneak path current）与写入失配（write
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