8.1.2 阵列级红外压降（IR Drop）与漏电问题

文档摘要

8.1.2 阵列级红外压降（IR Drop）与漏电问题在红外焦平面阵列（IRFPA）的工程实践中，我们常把“阵列级红外压降与漏电问题”比作一场静默的雪崩——它不声不响地侵蚀着图像信噪比，悄然抬高噪声基底，却极少在单像素测试中暴露真容；它藏身于千行万列的互连网络之后，在偏置电压的微小波动里埋下非均匀性的伏笔，在暗电流的统计涨落中悄悄改写整个帧的动态范围。当一款640×512中波红外探测器在-196℃下工作时，若阵列公共偏置线（V Bias ）在读出周期内发生超过12 mV的IR Drop，其等效暗电流漂移可达0.15 pA/像素——这看似微不足道的数值，却足以让NETD（噪声等效温差）劣化18%，使原本可分辨0.03 K温差的系统退化至仅能分辨0.035 K。