8.2.1 全球主要晶圆代工厂的研发进展（TSMC, Samsung, Intel, SMIC）

文档摘要

8.2.1 全球主要晶圆代工厂的研发进展（TSMC, Samsung, Intel, SMIC）在晶圆代工的竞技场里，技术演进从来不是线性铺陈的史诗，而是一场由光、电、原子与算法共同谱写的多声部交响——TSMC的FinFET到Nanosheet的跃迁，Samsung在GAA结构中对Gate-all-around栅极堆叠的毫米级精度控制，Intel以RibbonFET+PowerVia重构互连范式，SMIC在N+1/N+2节点上以多重曝光+高NA光刻补偿设备缺口的“非对称追赶”。这些并非PPT上的路线图幻灯片，而是每天在洁净室里被工程师用Python脚本校准、用SPICE网表验证、用TCAD仿真迭代、用EUV掩模写入机逐层雕刻的真实物理实现。