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9.2 第三代/宽禁带半导体 9.2 第三代/宽禁带半导体：重构电子物理边界的材料革命 当我们谈论“半导体”，脑海中浮现的或许是硅晶圆上密布的金属互连、晶圆厂里恒温恒湿的黄光区、或是手机芯片中以纳米为尺度奔涌的电子洪流。但若将时间轴拉回上世纪五十年代——那个硅基晶体管刚刚叩开数字纪元大门的年代——我们便不得不承认：人类对半导体材料的探索，本质上是一场持续六十余年的“禁带宽度竞赛”。第一代半导体（Si、Ge）以1. 会员。《9.2 第三代/宽禁带半导体》收录于灏天文库文集《新材料技术》，原作者/来源：灏天文库，整理自「灏天文库」，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。本站整理收录，版权归原作者/开源协议所有。

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作者与出处

原作者： 灏天文库

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原文： https://aiknowledge.cn/collection/866-%E6%96%B0%E6%9D%90%E6%96%99%E6%8A%80%E6%9C%AF

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