10.3.1 基于机理模型与机器学习的工艺预测

文档摘要

10.3.1 基于机理模型与机器学习的工艺预测在半导体前道光刻工艺中，当一台浸没式光刻机（如NXT:2100i）以每小时275片晶圆的速度运行时，其内部有超过147个实时监控的物理变量——从镜头像差分布、浸没液流场压力梯度、掩模台亚纳米级振动频谱，到曝光能量的空间积分误差。这些变量并非孤立存在；它们被一套精密耦合的偏微分方程所约束：波动方程 governs 光场传播，Navier-Stokes方程 governs 水膜动态，热传导方程 governs 镜头温漂，而Lithography Process Model（LPM）则将这三者映射为最终的CD（Critical Dimension）偏差。