7.2.2 蒙特卡洛分析（Monte Carlo）与良率估算

文档摘要

7.2.2 蒙特卡洛分析（Monte Carlo）与良率估算在集成电路设计的深水区，良率不是靠祈祷得来的，而是用概率算出来的。当一颗7纳米FinFET芯片上集成着250亿个晶体管，当关键栅极长度的工艺波动已逼近原子尺度（标准差仅0.3 nm），当互连层铜填充的空洞率在0.8%–1.2%之间随机游走——此时，任何基于“典型值+±3σ”的静态仿真都成了温柔的幻觉。你把电路图画得再漂亮，也挡不住晶圆厂里那台光刻机在凌晨三点因振动微扰导致的套刻误差；你把器件模型建得再精确，也覆盖不了离子注入剂量在百万次脉冲中那不可重复的涨落。良率，本质上是一个高维随机空间里的生存概率问题。