1.2.1 基础研究阶段（1980s-2000s）：低损耗波导与硅调制器的突破

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1.2.1 基础研究阶段（1980s-2000s）：低损耗波导与硅调制器的突破 1.2.1 基础研究阶段（1980s–2000s）：低损耗波导与硅调制器的突破你有没有试过在硅片上“弯折”一束光？不是用镜子，不是靠棱镜，而是让红外光——波长1550 nm、能量仅约0.8 eV的光子——沿着一条宽度仅450 nm、高度220 nm的矩形硅脊，在一个半径仅5 μm的急弯里，不散射、不泄漏、不衰减地转过90度？这在1985年，是贝尔实验室一位博士后盯着电子显微镜图像时脱口而出的质疑：“硅的折射率太高，模场必然溢出；侧壁粗糙度哪怕只有0.5 nm RMS，就会把TE₀模的传播损耗推到30 dB/cm以上——这根本不可能做低损耗。