文档摘要

2.2 三面包裹的静电学：栅控为什么翻倍 三面包裹的静电学收益可以归结为一句话：栅极电容与沟道体电容的比值被结构性抬高，栅压对沟道电势的分压比例从六七成提升到九成以上。 由此派生出三个可测量的结果——特征长度缩短、亚阈值摆幅逼近 60 mV/dec、DIBL 压到平面器件的三分之一。本节从电容分压讲起，把这条因果链推到底，也顺带揭开三面结构的软肋：拐角效应。 会员。《2.2 三面包裹的静电学：栅控为什么翻倍》收录于灏天文库文集《FinFET技术原理》，原作者/来源：灏天文库，整理自「灏天文库」，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。本站整理收录，版权归原作者/开源协议所有。

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作者与出处

原作者： 灏天文库

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原文： https://aiknowledge.cn/collection/810-finfet%E6%8A%80%E6%9C%AF%E5%8E%9F%E7%90%86

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