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2.3 FinFET与GAAFET：立体栅极时代 摘要：平面 MOSFET 缩到 25 nm 以下后，短沟道效应让栅极"管不住"沟道，亚阈值漏电失控。本节定量分析短沟道效应、DIBL 与亚阈值摆幅这三个失控指标，解释 FinFET 如何用三面围栅重建静电控制，GAAFET 又如何把包围进行到底；最后介绍把这些复杂几何塞进电路仿真器的 BSIM-CMG 紧凑模型。 上一节的 MOSFET 是平躺在硅表面的。 会员。《2.3 FinFET与GAAFET：立体栅极时代》收录于灏天文库文集《集成电路科学与工程》，原作者/来源：灏天文库，整理自「灏天文库」，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。本站整理收录，版权归原作者/开源协议所有。

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原作者： 灏天文库

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原文： https://aiknowledge.cn/collection/432-%E9%9B%86%E6%88%90%E7%94%B5%E8%B7%AF%E7%A7%91%E5%AD%A6%E4%B8%8E%E5%B7%A5%E7%A8%8B

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