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5.3 沉积、掺杂与互连：多层布线 摘要：器件层完成后，芯片还只是一堆孤岛，互连把它们织成电路。本节比较 CVD、PVD、ALD 三种薄膜沉积手法的适用面，讲离子注入如何把第 1 章的掺杂理论落成"能量×剂量"两旋钮；展开铜互连替代铝与大马士革工艺的因果链；最后用泊松良率模型算清"芯片面积-缺陷密度-利润"的残酷关系。 前两节的图形化与掺杂已经把晶体管本体做好。 会员。《5.3 沉积、掺杂与互连：多层布线》收录于灏天文库文集《集成电路科学与工程》，原作者/来源：灏天文库，整理自「灏天文库」，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。本站整理收录，版权归原作者/开源协议所有。

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原作者： 灏天文库

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原文： https://aiknowledge.cn/collection/432-%E9%9B%86%E6%88%90%E7%94%B5%E8%B7%AF%E7%A7%91%E5%AD%A6%E4%B8%8E%E5%B7%A5%E7%A8%8B

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