3.2.2 刻蚀与沉积

文档摘要

3.2.2 刻蚀与沉积在微纳加工的宏大叙事里，光刻是“画笔”，而刻蚀与沉积，则是真正赋予结构以三维形貌与功能内涵的“雕塑家”与“建筑师”。当掩模图形经紫外光或电子束精准投射于光刻胶之后，那层薄如蝉翼却承载着全部设计意图的图案，不过是一张尚未兑现的契约——它必须被忠实、保真、可控地转移到下方的功能薄膜或衬底之中。此时，刻蚀不再只是“去除材料”的粗放动作；沉积也不再是“铺上一层”的被动覆盖。它们是原子尺度上的精密对话：一场由等离子体能量、表面化学吸附、前驱体脉冲时序与腔室动力学共同谱写的协奏曲。而在这场对话中，反应离子刻蚀（RIE）与原子层沉积（ALD）——这对看似对立实则共生的技术双子星——构成了top-down微纳加工中最具代表性的动态平衡：一个向下掘进，一个向上垒砌；