3.2.2.1 反应离子刻蚀（RIE）

文档摘要

3.2.2.1 反应离子刻蚀（RIE） 3.2.2.1 反应离子刻蚀（RIE）：当刻蚀速率突然“断崖式下跌”——一个被忽略的射频匹配偏移陷阱与实时阻抗漂移补偿实践凌晨两点十七分，洁净室第7号RIE腔体报警灯第三次亮起。不是真空异常，不是气体流量超限，也不是温度告警——而是射频反射功率（$P{\text{ref}}$）在刻蚀进行到第83秒时，从0.8 W无声无息地跃升至4.3 W，随后在90秒内持续震荡于3.1–5.6 W区间。与此同时，目标SiO₂层的刻蚀速率从预期的$820\,\text{nm/min}$骤降至$310\,\text{nm/min}$，轮廓形貌出现明显侧壁倾斜（sidewall taper > 8°），CD（临界尺寸）偏差从±3.2 nm恶化至±12.7 nm。