3.2.2.2 原子层沉积（ALD）

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3.2.2.2 原子层沉积（ALD） ALD腔室温度梯度失控：当热电偶漂移成为薄膜厚度均匀性的隐形杀手凌晨两点十七分，Fab 23B的ALD主控屏上，第142片SiO₂/HfO₂叠层晶圆的椭偏仪实测厚度曲线在边缘区域突然塌陷——中心厚度5.82 nm，半径12 mm处跌至5.41 nm，而晶圆最外缘（r = 75 mm）竟只有4.96 nm。标准差σ = 0.18 nm，远超工艺窗口上限0.07 nm。报警灯未亮，Recipe未报错，腔体压力、前驱体脉冲时间、吹扫时长全部绿灯。一切“正常”，却偏偏产出废片。这不是设备故障，不是气体纯度问题，也不是基底预处理疏漏。这是ALD工程师最不愿直面的幽灵——腔室真实温度场与设定值之间的系统性偏差，而它的起点，往往只是热电偶接线端子上0.