文档摘要

第 1 章 · 平面晶体管的绝境 章节摘要：本章回答一个问题——为什么 2011 年之前的平面 MOSFET 必须被淘汰。答案不是"性能不够快"，而是三堵墙同时压过来：短沟道效应让阈值电压失控、亚阈值漏电与 DIBL 让关态电流指数级上涨、工艺变异让良率崩盘。 会员。《第1章 平面晶体管的绝境》收录于灏天文库文集《FinFET技术原理》，原作者/来源：灏天文库，整理自「灏天文库」，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。本站整理收录，版权归原作者/开源协议所有。

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作者与出处

原作者： 灏天文库

来源：灏天文库

原文： https://aiknowledge.cn/collection/810-finfet%E6%8A%80%E6%9C%AF%E5%8E%9F%E7%90%86

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