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1.1 短沟道效应：摩尔定律的第一张罚单 短沟道效应（SCE）指沟道长度缩短到可与耗尽区宽度相比时，阈值电压不再由栅压单独决定、而是被源漏电场"分走话语权"的现象。 它是平面 MOSFET 微缩路上第一张真正意义上的物理罚单：在此之前的所有缩小的困难都可以靠工艺精度解决，而它不行。 从一条产线异常说起 把时间拨回到 2007 年前后某代工厂的 45 纳米试产阶段。 会员。《1.1 短沟道效应：摩尔定律的第一张罚单》收录于灏天文库文集《FinFET技术原理》，原作者/来源：灏天文库，整理自「灏天文库」，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。本站整理收录，版权归原作者/开源协议所有。

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作者与出处

原作者： 灏天文库

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原文： https://aiknowledge.cn/collection/810-finfet%E6%8A%80%E6%9C%AF%E5%8E%9F%E7%90%86

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