文档摘要

1.3 从平面到立体：一场被迫的范式转移 范式转移（paradigm shift）在这里指：解决短沟道效应的出路不再是"把平面器件做得更精"，而是改变"沟道躺平、栅极从上压"这个延续五十年的几何前提。 本节讲清三件事：胡正明团队 1999 年论文给出了怎样的数学论证；把沟道立起来在工艺语言里意味着什么；为什么最终量产的是三栅 FinFET 而不是教科书里更理想的双栅。 会员。《1.3 从平面到立体：一场被迫的范式转移》收录于灏天文库文集《FinFET技术原理》，原作者/来源：灏天文库，整理自「灏天文库」，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。本站整理收录，版权归原作者/开源协议所有。

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作者与出处

原作者： 灏天文库

来源：灏天文库

原文： https://aiknowledge.cn/collection/810-finfet%E6%8A%80%E6%9C%AF%E5%8E%9F%E7%90%86

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