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3.1 鳍片成型：从光刻图形到纳米山脊 鳍片成型的全部难题可以压成一句话：把宽 5 到 8 纳米、高 30 到 45 纳米、顶角曲率半径约 3 纳米的硅山脊，在 300 毫米晶圆上复制千亿次，且任意两条的宽度差不超过 1 纳米。 本节沿工艺流程走三步：先用侧壁图形化绕开光刻的衍射极限，再用 STI 与 CMP 把山脊的高度基准钉死，最后用垂直度与圆角控制把"形状"翻译成"电学"。结尾的三个产线故障案例会提醒你：这条公差链上没有配角。 会员。《3.1 鳍片成型：从光刻图形到纳米山脊》收录于灏天文库文集《FinFET技术原理》，原作者/来源：灏天文库，整理自「灏天文库」，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。本站整理收录，版权归原作者/开源协议所有。

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作者与出处

原作者： 灏天文库

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原文： https://aiknowledge.cn/collection/810-finfet%E6%8A%80%E6%9C%AF%E5%8E%9F%E7%90%86

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