3.1.3 鳍片形状控制：垂直度与顶部圆角化对电场分布的影响

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3.1.3 鳍片形状控制：垂直度与顶部圆角化对电场分布的影响 3.1.3 鳍片形状控制：垂直度与顶部圆角化对电场分布的影响 ——一个被反复踩坑、最终用TCAD仿真反向锚定工艺窗口的实战手记你有没有在FinFET器件的可靠性测试中，突然发现：同一片晶圆上，相邻两颗芯片的击穿电压（$V{\text{br}}$）偏差高达12%？更诡异的是，这种偏差并不随栅长系统性变化，而是在鳍高（$H{\text{fin}}$）为28 nm、线宽（$W{\text{fin}}$）为6.2 nm的那批批次里集中爆发——良率跌至83%，FAB工程师连夜拉出CD-SEM图，却只看到“看起来很标准”的鳍片轮廓。没有人怀疑刻蚀质量。因为SEM图像里，鳍片“看起来”够直、够锐、够对称。