3.1.2 浅沟槽隔离 (STI) 工艺：从填充到平坦化

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3.1.2 浅沟槽隔离 (STI) 工艺：从填充到平坦化 STI填充后的“隐形悬崖”：CMP终点检测中氧化硅/氮化硅界面反射率突变的实时捕捉与工艺闭环校准凌晨两点十七分，Fab 23 的 C-12 光刻区警报灯无声亮起——不是红，是琥珀，那种只在 CMP 机台（Applied Materials Reflexion LK Prime）的终点信号异常时才会幽幽浮起的微光。我放下刚咬了一口的冷三明治，快步穿过气闸门。屏幕上停驻着一张熟悉的曲线图：反射率（Reflectance）随时间演化的波形，在 98.7 秒处本该出现的第二阶下降沿被抹平了，像一柄钝刀切过山脊，留下一个可疑的、近乎水平的平台。这不是漂移，不是噪声；