3.2.1 高介电常数金属栅极 (HKMG) 技术

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3.2.1 高介电常数金属栅极 (HKMG) 技术当HKMG的栅极功函数“漂移”了0.1 eV：一个让FinFET阈值电压集体偏移的隐形杀手你有没有遇到过这样的场景？流片回来的测试数据里，N型FinFET的$V{\text{th}}$整体比仿真预测高了85 mV，P型器件却偏低62 mV；良率测试中，同一晶圆上中心区域$V{\text{th}}$分布尚可，边缘却出现系统性拖尾——不是随机缺陷，而是呈环状梯度变化；可靠性加速老化后，$V{\text{th}}$漂移量远超TCAD模型预估，且与$V{\text{g}}$应力偏置方向强相关。实验室里反复清洗、更换光刻胶、重做CMP，问题照旧。直到某天凌晨三点，你盯着TEM截面图里那层仅1.